高温反偏试验（High Temperature Reverse Bias Test，简称HTRB）是一种用于评估半导体器件可靠性的重要测试方法。该试验通过在高温条件下施加反向电压，观察器件随时间增加的漏电流变化，以判断其是否会出现失效。此测试适用于多种功率半导体器件，包括MOSFET、IGBT、二极管、双极型晶体管（BJT）、硅控整流器（SCR）以及GaN基器件等。

HTRB测试的关键要素可以概括为以下三个方面：

1、温度设置：测试温度的设定需依据被测器件的材料特性和相关的测试标准。例如，肖特基二极管可能在100℃下进行测试，而玻璃钝化器件的测试温度可能达到150℃。另外，根据采用的测试标准，如JESD22-A108，测试温度可能设定为125℃、150℃或175℃。当前，测试温度的设定参照多种标准，包括美军标准、国家标准、JEDEC、IEC、AEC标准以及企业自定义标准。

2、反向电压的确定：HTRB测试中施加的反向电压通常基于器件的额定耐压值，一般取其80%作为试验电压。结合高温环境，测量器件的漏电流，以此来评估其长期稳定性及可靠性。

3、测试持续时间：标准的测试持续时间包括168小时、500小时和1000小时等，但实际测试时长会根据用户的具体需求而定。对于要求更为严格的应用，如汽车电子或军工领域，测试条件和持续时间会更加苛刻，以确保筛选出更高可靠性的芯片或器件。

通过上述三个关键方面的综合考量，高温反偏试验能够全面评估功率半导体器件在高温和长时间工作条件下的性能稳定性。此外，这种测试对老化板和老化测试座的耐高温性能和耐久性也提出了更高要求。

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