高温反向偏压试验（High-Temperature Reverse-Bias, HTRB）是一项用于评估半导体器件长期可靠性的重要测试。以下是对HTRB试验的全面了解：

试验背景

AEC-Q101标准：HTRB试验是AEC-Q101标准中的Group B加速寿命模拟试验的一部分，该标准广泛用于汽车级、工业级和军用级半导体器件的测试。

军用级参考：HTRB试验方法参考了MIL-STD-750方法1038条件A（适用于二极管、整流器和齐纳管）和M1039条件A（适用于晶体管）。

试验目的

缺陷识别：HTRB旨在识别制造过程中产生的潜在缺陷，这些缺陷在未进行老化处理的情况下可能导致器件过早失效。

故障模式揭示：通过在特定条件下运行半导体器件，HTRB试验揭示了由时间和应力引起的电气故障模式。

试验条件

电压与温度：根据AEC-Q101标准，测试在最大直流反向电压下进行1000小时，同时控制结温以防止热失控，环境温度TA可以根据需要从Ta(MAX)向下调整。

批量测试：标准要求对3批*77颗器件进行同时测试，以确保数据的代表性和统计意义。

实时监控：测试过程中需实时监控漏电流，并在老化前后测量器件的静态参数。

试验前的电性能参数

参数测量：试验前后需对器件进行基本的静态参数测量，确保所有性能参数符合用户零件规范的要求。

失效判定标准

性能参数：器件在试验后应继续符合用户零件规范中定义的性能参数要求。

参数变化：试验后的电性能参数变化应保持在初始值的±20%以内。

泄漏电流：允许的泄漏电流不超过试验前初始值的5倍。

物理损坏：器件外观不得出现任何由试验引起的物理损坏。

HTRB试验是确保半导体器件在高温和高电压条件下长期稳定工作的重要手段，对于汽车、工业和军事等对可靠性要求极高的应用领域尤为关键。通过这项试验，制造商能够识别并改进器件设计，提高产品的整体质量和可靠性。

金凯博碳化硅SiC车规级动态可靠性测试系统具有80个测试通道、每个通道独立控制；实时保存测试结果，生成测试报告；具有防烫、过流、过压保护；支持扩展外接标准仪表等众多优势性能。并具有高温高压高频高精度脉冲源：dv/dt>50v/ns、频率50KHz；高精度测试：电流分辨率10pA，电压分辨率100nV；多参数测量：Vsd电压、Vgsth电压、Rds电阻、lgss漏电流、ldss漏电流、温度，功能完备并有可扩展性。